TRs系列是一款針對大功率IGBT/MOSFET器件和晶片的靜態特性測試系統，覆蓋8000A/10KV以內的模快測試，200度高溫平臺, 測試標準遵循IEC 60747-9 edition 2.0 for IGBT, IEC 60747-8 edition 3.0 for MOSFET,IEC 60747-2 edition 3.0 for DIODE
測試項目
IGES ：Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
VGE(th) ：Vge 0 - 20V ,Ice 0-2A
VCEsat：Vce 0 - 10V，Ice 0-8000A
Rdson:0.1-500ohm
VF:Vf 0 - 10V，If 0.1-8000A
VCES: Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
ICES: Vce 0-10000V Ice 0.01 -100mA
模組類型：單管，半橋，全橋，PIM，三電平等
