Nanometrics推出QS1200臺式系統，用於半導體材料內部含量檢測,同質外延厚度測量和其他應用。QS1200設計用於先進的半導體工廠，在矽生長和器件製造領域進行材料表徵。它利用成熟的光學技術提供了FTIR技術的新水準，以及手動/自動晶圓樣品台，以適應100,125,150,200和300 mm的SEMI標準晶圓尺寸.不規則形狀的晶圓片和2 mm厚的矽片也可以使用QS-1200。所有上述晶圓尺寸的均可選擇自動多點測試平臺。
典型應用
外延膜厚度
薄膜厚度（電介質，晶圓，MEMs）
矽中的間隙氧和置換碳
BPSG中的硼和磷
SiN和SiON鈍化層中的氫
FSG層中的氟
通用FTIR分析
系統描述
使用Manometrics成熟的FTIR技術和專有演算法的大量應用的單接觸和非破壞性FTIR技術
大光孔徑，自有對準干涉儀和相關光學元件確保了高靈敏度
符合GEM標準，SECS介面支援主機通過HSMS / SECS-1協定進行本地和遠端控制操作
傳輸和反射測量
無限測量模式和2D / 3D映射
更快的安裝和認證
簡單的測試方案傳輸
使用方便
在其基本配置中，該儀器由基於FTIR的光學控制台和手動晶圓託盤組成，以容納直徑從100至300 mm的SEMI標準晶圓或異形矽片。儀器由配備Windows作業系統的強大PC控制。使用自動多點測試樣品台，可以進行整片晶圓測量。 易於使用的Nanometrics應用程式套裝軟體含創建用於處理晶圓的模式。測量結果存儲在Microsoft Access資料庫中，可輕鬆匯出到其他資料庫格式，如Excel。測量結果也可用于生成等值線圖以確定其均勻性.
SiC膜厚測試範圍 2um-250um
SiC膜厚測試精度 0.01um,典型值
SiC膜厚測試重複性(3-sigma,10次) 3nm(FilmZ), 1nm(PD EPI) 基於貴司送測樣品
常規膜厚測試範圍 0.5um-1000um. 與材料有關
高強度水冷散熱的陶瓷外殼中紅外光源 輸出光譜範圍9600 cm-1 -50cm-1
KBr光束分頻器,中紅外光通量 7500-375 cm-1
光譜測試範圍 6000cm-1 - 400cm-1 (1.7 um to 25 um)
光譜解析度 0.5 cm-1 - 32 cm-1
信噪比 50000:1
測試時間 單點小於5s
300mm多點測試平臺 系統軟體直接生成多點mapping圖,2D和3D圖形
相容小尺寸 2-8inch
Michelson干涉儀, 60°空氣軸承結構的
分光鏡 2.25inch直徑
入射角 30度
