採用無接觸方式,測試半絕緣高阻半導體晶片的體電阻率值,並可以進行自動多點測試,繪製晶片各個區域的體電阻率值,得到整片的均勻性.
XY移動平臺:150mmΧ150mm
上片方式:手動
探頭高度調整:自動調整
真空載片盤:150mm直徑,自帶真空泵
遮光罩:測試區域配備阻光罩
移動速度: 最大每秒40mm
重定位精度: 10um
測量範圍: 105 ohm-cm 到 1012 ohm-cm
探頭尺寸: 直徑1mm
重複性:
1x106Ohm-cm – 1x109 Ohm-cm, 測試資料偏差小於1%
1x105 Ohm-cm– 1x106 Ohm-cm, 測試資料偏差小於10%
1x109 Ohm-cm– 1x1012 Ohm-cm, 測試資料偏差小於10%
去邊距離: 標準5mm,最小2.5mm
電阻率測試時間: 單點,阻值在107 ohm-cm時,約為270ms,含平臺移動1mm的時間
整片測試時間: 100mm直徑,1mm測試間距情況下,約36分鐘
